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Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

Tewksbury, Theodore L.. -- Massachusetts Institute of Technology, 1992. h. <TY00311401>
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Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

Tewksbury, Theodore L.. -- Massachusetts Institute of Technology, 1992. h. <TY00311401>
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所蔵一覧 1件～1件（全1件）

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No. 巻冊次等 配置場所・配架マップ 資料ID 請求記号 禁帯出区分 状態 返却期限日 備考 予約件数
0001 マイクロフィッシュ 210452 549/C85/0397 禁帯出（館内閲覧のみ） 禁帯出（館内閲覧のみ） 0件
No. 0001
巻冊次等
配置場所・配架マップ マイクロフィッシュ
資料ID 210452
請求記号 549/C85/0397
禁帯出区分 禁帯出（館内閲覧のみ）
状態 禁帯出（館内閲覧のみ）
返却期限日
備考
予約件数 0件
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書誌詳細

標題および責任表示 Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps / Tewksbury, Theodore L.
特定資料種別コード マイクロフィッシュ(microfiche)
出版・頒布事項 [Cambridge, Ma.] : Massachusetts Institute of Technology , 1992
形態事項 4 microfiche ; 11×15 cm
学情ID BB03898756
本文言語コード 英語
著者標目リンク Theodore, L. Tewksbury <>
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